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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Puntuación global
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
52
En -108% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
14900
En 1.29 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
25
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
19200
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2173
2702
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
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