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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Compara
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Puntuación global
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Puntuación global
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
52
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.2
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.1
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
14900
En 1.29 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
26
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
19.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
17.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
19200
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2173
3856
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Comparaciones de la memoria RAM
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Mushkin 994104 8GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
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