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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Compara
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Puntuación global
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
52
En -117% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
14900
En 1.29 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
24
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
19200
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2173
2509
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Comparaciones de la memoria RAM
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Mushkin 994104 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
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Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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