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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Compara
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Puntuación global
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.2
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17500
14900
En 1.17 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
52
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
10.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
17500
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2173
2319
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
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