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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Compara
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Puntuación global
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Puntuación global
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
52
63
En 17% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.2
7.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
10
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
14900
En 1.29 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
63
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
19200
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2173
2162
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
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