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Samsung M391B1G73BH0-YH9 8GB
Samsung M391B1G73BH0-YK0 8GB
Compara
Samsung M391B1G73BH0-YH9 8GB vs Samsung M391B1G73BH0-YK0 8GB
Puntuación global
Samsung M391B1G73BH0-YH9 8GB
Puntuación global
Samsung M391B1G73BH0-YK0 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B1G73BH0-YH9 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
30
En 37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
6.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B1G73BH0-YK0 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B1G73BH0-YH9 8GB
Samsung M391B1G73BH0-YK0 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
19
30
Velocidad de lectura, GB/s
18.2
11.3
Velocidad de escritura, GB/s
12.3
6.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
12800
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3282
1907
Samsung M391B1G73BH0-YH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M391B1G73BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
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