RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Compara
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Puntuación global
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
41
En 7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
12.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
41
Velocidad de lectura, GB/s
14.5
12.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
2238
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M391B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link