RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Compara
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
53
En 49% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
53
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2275
2301
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link