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Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Compara
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Puntuación global
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
39
En 31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
6.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
39
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
7.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2275
1768
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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