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Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
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Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Puntuación global
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
76
En 64% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
10.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
6.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
76
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
10.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2275
1260
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
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A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
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