RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
29
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3735
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link