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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
26
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2600
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
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