RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
6.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
26
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.1
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
13.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
6.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2066
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link