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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
26
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3052
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
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Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
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