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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2808
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
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