RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
35
En 26% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2636
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link