RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
35
En 26% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3534
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link