RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
28
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3675
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Corsair CMSX8GX3M2B1600C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link