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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
35
En 26% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2982
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
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