RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
35
En 26% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2982
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link