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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
31
En 16% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3042
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
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