RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
26
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2601
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link