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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
73
En 64% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
73
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
13.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
1468
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
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