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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
34
En 24% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3199
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
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