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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
26
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3187
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
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