RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
27
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3693
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link