RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
30
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3496
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link