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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
28
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3651
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
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