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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
26
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.3
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
20.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
16.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3987
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
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