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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
26
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.2
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.4
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
20.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
18.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
4114
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
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