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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
26
En -24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
21
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3211
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
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