RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
35
En 26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.8
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
10.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2124
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link