RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
26
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
22
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3361
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link