RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
34
En 24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.8
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
9.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2346
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link