RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
43
En 40% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
43
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2571
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link