RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
28
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2663
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link