RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Maxsun MSD48G30M3 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
33
En 21% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3105
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link