RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
38
En 32% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
38
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3264
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link