RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
52
En 50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.8
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17500
10600
En 1.65 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
52
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
10.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17500
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2319
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-008.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Mushkin 991586 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link