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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
29
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2854
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
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SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
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