RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
26
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2583
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link