RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
26
En -37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.8
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
19
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
19.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3370
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link