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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
26
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.9
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.5
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
22
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
18.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
4324
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
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