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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
38
En 32% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
38
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3030
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
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