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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
50
En 48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.8
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
50
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
10.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2393
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
KingSpec KingSpec 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
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