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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.8
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
5.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
11.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
5.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, , CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
1771
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Kingston 9905678-014.A00G 4GB
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Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
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Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
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