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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
31
En 16% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.5
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2330
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
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