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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
26
En -53% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.6
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
17
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
21.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
18.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3528
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
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G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
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