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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
32
En 19% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3054
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston HP698650-154-MCN 4GB
Kingston 9905402-174.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
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