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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
62
En 58% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
6.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
62
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
6.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
1586
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
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