RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
26
En -53% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.8
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
17
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
21.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
16.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3695
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99P5474-013.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link